爱思开海力士请求半导体存储器设备和制作专利进步半导体存储器设备功能

  金融界2024年12月19日音讯，国家知识产权局信息数据显现，爱思开海力士有限公司请求一项名为“半导体存储器设备和制作半导体存储器设备的办法”的专利，揭露号CN 119136553 A，请求日期为2023年12月。

  专利摘要显现，本揭露触及半导体存储器设备和制作半导体存储器设备的办法。一种半导体存储器设备能包含榜首栅极结构，榜首栅极结构各自包含替换堆叠的榜首实在栅极线和榜首绝缘层。该设备还能够包含坐落榜首栅极结构上的榜首虚设栅极线、被装备为在榜首虚设栅极线之间而且在榜首栅极结构之间延伸的别离绝缘结构、以及第二栅极结构，第二栅极结构坐落榜首栅极结构和别离绝缘结构上，而且包含具有比榜首虚设栅极线中的每个榜首虚设栅极线更大的宽度的第二虚设栅极线。